BD343 Todos los transistores

 

BD343 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD343
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.7 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD343 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
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BD343

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD343DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-: h =15-100(Min)@I = -8AFE CLow Saturation Voltage-: V )= -1.0V(Max)@ I = -8.0ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier and switching applications

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History: SD340

 

 
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