BD343 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD343
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.7 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BD343 datasheet
bd343.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD343 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- h =15-100(Min)@I = -8A FE C Low Saturation Voltage- V )= -1.0V(Max)@ I = -8.0A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power amplifier and switching applications
Otros transistores... BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , C1815 , BD344 , BD345 , BD346 , BD347 , BD348 , BD349 , BD350 , BD350A .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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