BD347 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD347
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de BD347
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD347 datasheet
bd347.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD347 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 3A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for RF power and general-purpose audio
Otros transistores... BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 , BD344 , BD345 , BD346 , TIP41 , BD348 , BD349 , BD350 , BD350A , BD350B , BD351 , BD351A , BD351B .
History: 2SB563
History: 2SB563
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194