BD354A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD354A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO66
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BD354A datasheet
kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf
bd354.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD354 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 2A CE(sat C Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD355 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for
Otros transistores... BD349 , BD350 , BD350A , BD350B , BD351 , BD351A , BD351B , BD354 , D882 , BD354B , BD354C , BD355 , BD355A , BD355B , BD355C , BD356 , BD357 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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