BD355C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD355C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO66
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BD355C datasheet
kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf
bd355.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD355 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Saturation Voltage- V )= -1.0V(Max)@ I = -2.0A CE(sat C Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD354 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general pu
Otros transistores... BD351B , BD354 , BD354A , BD354B , BD354C , BD355 , BD355A , BD355B , TIP31C , BD356 , BD357 , BD358 , BD359 , BD361 , BD361A , BD362 , BD362A .
History: BC478 | 2SC3157K | 2SC1391 | BSR33 | MP40 | BSR31 | 2SC3157L
History: BC478 | 2SC3157K | 2SC1391 | BSR33 | MP40 | BSR31 | 2SC3157L
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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