BD364 Todos los transistores

 

BD364 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD364
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD364 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
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BD364

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD364DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 50V(Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD365100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andinduc

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History: 40309 | 2SA1213GP | NSS60200L | 2SA2044 | NSS40200L | 2N1865

 

 
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