BD364 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD364
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de BD364
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD364 datasheet
bd364.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD364 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD365 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and induc
Otros transistores... BD359 , BD361 , BD361A , BD362 , BD362A , BD363 , BD363A , BD363B , 2SC1815 , BD365 , BD366 , BD367 , BD368 , BD369 , BD370 , BD370-10 , BD370-16 .
History: MH8211 | 2SC2017 | BD975 | MP4050 | MP3904R | MP4049 | 2SC4672-P
History: MH8211 | 2SC2017 | BD975 | MP4050 | MP3904R | MP4049 | 2SC4672-P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313