BD367 Todos los transistores

 

BD367 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD367
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD367 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
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BD367

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors BD367DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD366100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andind

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MUN5313DW1T1G | 2SB968 | 2SA1372 | D28C7 | BC807K-16 | 2SC2923 | 2N1683

 

 
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