BD367 Todos los transistores

 

BD367 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD367
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD367 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
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BD367

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistors BD367DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD366100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andind

Otros transistores... BD362 , BD362A , BD363 , BD363A , BD363B , BD364 , BD365 , BD366 , S8550 , BD368 , BD369 , BD370 , BD370-10 , BD370-16 , BD370-6 , BD370A , BD370A-10 .

History: HB772S | 2SD2182 | 2SB1072 | 2SAB31 | GET104 | BD373A-25 | BD813A

 

 
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