BD368 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD368
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
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BD368 datasheet
bd368.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD368 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD369 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and induc
Otros transistores... BD362A , BD363 , BD363A , BD363B , BD364 , BD365 , BD366 , BD367 , 2SA1837 , BD369 , BD370 , BD370-10 , BD370-16 , BD370-6 , BD370A , BD370A-10 , BD370A-16 .
History: 2N5210 | XA141 | 2SD362N | XA131 | 2SC515 | MJ10102 | BD169
History: 2N5210 | XA141 | 2SD362N | XA131 | 2SC515 | MJ10102 | BD169
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