BD368 Todos los transistores

 

BD368 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD368
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD368 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
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BD368

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD368DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaComplement to Type BD369100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andinduc

Otros transistores... BD362A , BD363 , BD363A , BD363B , BD364 , BD365 , BD366 , BD367 , BC546 , BD369 , BD370 , BD370-10 , BD370-16 , BD370-6 , BD370A , BD370A-10 , BD370A-16 .

History: SM2160P

 

 
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