BD546A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD546A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO218

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BD546A datasheet

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
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BD546A

isc Silicon PNP Power Transistor BD546/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V(Min)- BD546; -60V(Min)- BD546A (BR)CEO -80V(Min)- BD546B; -100V(Min)- BD546C Complement to Type BD545/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

 9.1. Size:81K  bourns
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BD546A

BD546, BD546A, BD546B, BD546C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE BD545 Series (TOP VIEW) 85 W at 25 C Case Temperature B 1 15 A Continuous Collector Current C 2 Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25 C case temper

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