BD546D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD546D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO218

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BD546D datasheet

 9.1. Size:81K  bourns
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BD546D

BD546, BD546A, BD546B, BD546C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE BD545 Series (TOP VIEW) 85 W at 25 C Case Temperature B 1 15 A Continuous Collector Current C 2 Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25 C case temper

 9.2. Size:197K  inchange semiconductor
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BD546D

isc Silicon PNP Power Transistor BD546/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V(Min)- BD546; -60V(Min)- BD546A (BR)CEO -80V(Min)- BD546B; -100V(Min)- BD546C Complement to Type BD545/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

Otros transistores... BD545A, BD545B, BD545C, BD545D, BD546, BD546A, BD546B, BD546C, BD335, BD550, BD550A, BD550B, BD561, BD562, BD566, BD566A, BD567