BD719 Todos los transistores

 

BD719 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD719
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD719 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  inchange semiconductor
 bd719 bd721 bd723 bd725.pdf pdf_icon

BD719

isc Silicon NPN Power Transistor BD719/721/723/725DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = 2AFE CComplement to Type BD720/722/724/726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 ..2. Size:189K  inchange semiconductor
 bd719.pdf pdf_icon

BD719

isc Silicon NPN Power Transistor BD719DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = 60V(Min)(BR)CEOComplement to type BD720Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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History: 2N708-46 | 2SB649 | BDS28CSM | 2SB214 | FHD21F | ETG36040D | 2SB572

 

 
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