BD733 Todos los transistores

 

BD733 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD733
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 22 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 22 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD733 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
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BD733

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD733 DESCRIPTION DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 20mA Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 25V(Min.) Complement to Type BD734 APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Coll

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History: 2SC341 | MS1649

 

 
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