BD737 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD737
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD737
BD737 Datasheet (PDF)
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD737 DESCRIPTION DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 20mA Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 45V(Min.) Complement to Type BD738 APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Coll
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