BD750C Todos los transistores

 

BD750C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD750C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 25

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD750C

 

BD750C Datasheet (PDF)

5.1. bd750 750a.pdf Size:75K _inchange_semiconductor

BD750C
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD751/751A APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBO

5.2. bd750b 750c.pdf Size:114K _inchange_semiconductor

BD750C
BD750C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) S

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