BD750C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BD750C. Основные параметры


   Наименование производителя: BD750C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD750C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD750C даташит

 ..1. Size:114K  inchange semiconductor
 bd750b bd750c .pdf pdf_icon

BD750C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd750b bd750c.pdf pdf_icon

BD750C

isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min)- BD751B CEO(SUS) = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUT

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd750 bd750a.pdf pdf_icon

BD750C

isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min)- BD750 CEO(SUS) = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MA

 9.2. Size:75K  inchange semiconductor
 bd750 bd750a .pdf pdf_icon

BD750C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BD746B , BD746C , BD746D , BD746E , BD746F , BD750 , BD750A , BD750B , 2SA1943 , BD751 , BD751A , BD751B , BD751C , BD775 , BD776 , BD777 , BD778 .

 

 
Back to Top

 


 
.