Справочник транзисторов. BD750C

 

Биполярный транзистор BD750C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD750C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для BD750C

 

 

BD750C Datasheet (PDF)

5.1. bd750 750a.pdf Size:75K _inchange_semiconductor

BD750C
BD750C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD751/751A APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBO

5.2. bd750b 750c.pdf Size:114K _inchange_semiconductor

BD750C
BD750C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) S

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top