BD776 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD776

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO126

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BD776 datasheet

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BD776

Order this document MOTOROLA by BD777/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD777 Plastic Darlington PNP BD776 Complementary Silicon Power Transistors BD778 . . . designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. High DC Current Gain BD780* hFE = 1400 (Typ) @ IC = 2.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 10 mAdc *Motorola Preferred

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