BD797 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD797

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BD797

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BD797 datasheet

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 bd797.pdf pdf_icon

BD797

isc Silicon NPN Power Transistor BD797 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min.) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD798 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

Otros transistores... BD787, BD788, BD789, BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, S8550, BD798, BD799, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807