BD826B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD826B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO202

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BD826B datasheet

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BD826B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD826 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD825 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Otros transistores... BD825A, BD825B, BD826, BD826-10, BD826-16, BD826-25, BD826-6, BD826A, TIP2955, BD827, BD827-10, BD827-16, BD827-25, BD827-6, BD827A, BD827B, BD828