BD829-10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD829-10

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO202

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BD829-10 datasheet

 9.1. Size:51K  philips
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BD829-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD825; BD829 NPN power transistors Product specification 1998 May 29 Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistors BD825; BD829 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
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BD829-10

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD829 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

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