Справочник транзисторов. BD829-10

 

Биполярный транзистор BD829-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD829-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD829-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD829-10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd829.pdf pdf_icon

BD829-10

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD829DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD828Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD828 , BD828-10 , BD828-16 , BD828-25 , BD828-6 , BD828A , BD828B , BD829 , BC639 , BD829-16 , BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , BD830 , BD830-10 , BD830-16 .

History: BD908 | BCF29 | TP9012NND03 | BD695A | BD825-6 | BCP69-16 | BCP56-10T1G

 

 
Back to Top

 


 
.