BD830A Todos los transistores

 

BD830A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD830A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD830A datasheet

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BD830A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD830 PNP power transistor Product specification 1999 Apr 21 Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD830 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounti... See More ⇒

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
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BD830A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD830 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD829 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.... See More ⇒

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