BD839 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD839

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO202

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BD839 datasheet

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BD839

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD839 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD840 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in television circuits and audio applications ABSOLUTE M

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