BD842 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD842
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO202
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BD842 Datasheet (PDF)
bd842.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD842DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD841Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.
Otros transistores... BD834 , BD835 , BD836 , BD837 , BD838 , BD839 , BD840 , BD841 , A1015 , BD843 , BD844 , BD845 , BD846 , BD847 , BD848 , BD849 , BD850 .
History: 2SA165 | 2SD2454 | RN2968FE
History: 2SA165 | 2SD2454 | RN2968FE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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