BD947F Todos los transistores

 

BD947F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD947F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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BD947F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bd943f bd945f bd947f.pdf pdf_icon

BD947F

isc Silicon NPN Power Transistor BD943F/945F/947FDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85(Min)@ I = 500mAFE CComplement to Type BD944F/946F/948FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and generalpurpose amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd943 bd945 bd947.pdf pdf_icon

BD947F

isc Silicon NPN Power Transistor BD943/945/947DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 85(Min)@ I = 500mAFE CComplement to Type BD944/946/948Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and generalpurpose amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

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History: 3CK100 | 2SD1624-T | 2SC997 | 2SD1624-R | 2N3612

 

 
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