BDB01B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDB01B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
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BDB01B Datasheet (PDF)
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB01C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB01C,DNPN SiliconCOLLECTOR32BASE1231EMITTERCASE 2905, STYLE 1MAXIMUM RATINGSTO92 (TO226AE)Rating Symbol BDB01C BDB01D UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcColl
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
