BDC01D Todos los transistores

 

BDC01D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDC01D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BDC01D Datasheet (PDF)

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BDC01D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDC01D/DOne Watt Amplifier TransistorBDC01DNPN SiliconCOLLECTOR23BASE1231EMITTERCASE 2905, STYLE 14MAXIMUM RATINGSTO92 (TO226AE)Rating Symbol BDC01D UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 100 VdcCollectorBase Voltage VCBO 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current

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BDC01D

BDC01DOne Watt AmplifierTransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Package is Available*COLLECTOR2MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value Unit BASECollector -Emitter Voltage VCEO 100 Vdc1Collector -Base Voltage VCBO 100 VdcEMITTEREmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current - Continuous IC 0.5 AdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 1.0

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