BDS13SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDS13SM
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDS13SM
BDS13SM Datasheet (PDF)
bds13smd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES4.610.60.8FEATURES3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGESDia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME
bds13smd05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES4.610.60.8FEATURES3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGESDia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME
Otros transistores... BDP955 , BDP956 , BDS10 , BDS10SM , BDS11 , BDS12 , BDS12SM , BDS13 , D965 , BDS14 , BDS14SM , BDS15 , BDS15SM , BDS16 , BDS16SM , BDS17 , BDS17SM .