BDS18 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDS18
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDS18

BDS18 Datasheet (PDF)

..1. Size:211K inchange semiconductor
bds18.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BDS18DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDeveloped for power liner and switching-Gener purpose power.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -120 VCBOV Collect

0.1. Size:76K semelab
bds18smd.pdf

BDS18 BDS18SMD BDS18SMD05BDS19 BDS19SMD BDS19SMD05SILICON PNPMECHANICAL DATA (Dimensions in mm)EPITAXIAL BASE INTO220 METAL AND4.610.60.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGES3.6Dia.FEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC1 2 3PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1.0 SCREENING TO CECC LEVELS2.54 2.70 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)

0.2. Size:76K semelab
bds18smd05.pdf