BDS20 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDS20
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO220
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BDS20 datasheet
bds20smd.pdf
SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE
Otros transistores... BDS16 , BDS16SM , BDS17 , BDS17SM , BDS18 , BDS18SM , BDS19 , BDS19SM , BC549 , BDS20SM , BDS21 , BDS21SM , BDS28A , BDS28ASM , BDS28B , BDS28BSM , BDS28C .
History: SK9132 | HA7540 | BDT41A | 2SA1048O | 2SA1338-5 | 2SB1186
History: SK9132 | HA7540 | BDT41A | 2SA1048O | 2SA1338-5 | 2SB1186
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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