BDS20 Todos los transistores

 

BDS20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDS20
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de BDS20

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BDS20 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:452K  semelab
 bds20smd.pdf pdf_icon

BDS20

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N6653A | 2SD667 | 2SC4492 | DRC5A14E | 2N1589 | HQ1F3M | NB223H

 

 
Back to Top

 


 
.