BDS21SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDS21SM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDS21SM

BDS21SM Datasheet (PDF)

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bds21smd.pdf

SILICON EPIBASE PNP DARLINGTON TRANSISTOR BDS21SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -80V VCEO Collector Emitter Voltage -80V

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX84A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D