BDV95 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de BDV95
BDV95 Datasheet (PDF)
bdv91 bdv93 bdv95.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDV91/93/95DESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDV91; 60V(Min)- BDV93CEO(SUS)80V(Min)- BDV95Complement to Type BDV92/94/96Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and generalamplifi
Otros transistores... BDV67A , BDV67B , BDV67C , BDV67D , BDV91 , BDV92 , BDV93 , BDV94 , 2222A , BDV96 , BDW10 , BDW10A , BDW12 , BDW12A , BDW14 , BDW14A , BDW16 .
History: CK25A | 2SD2498 | BSX30 | 3DG817 | OC815 | 2N4012 | NSBC114YPDP6T5G
History: CK25A | 2SD2498 | BSX30 | 3DG817 | OC815 | 2N4012 | NSBC114YPDP6T5G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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