BDV95 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TOP3
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BDV95 Datasheet (PDF)
..1. Size:219K inchange semiconductor
bdv91 bdv93 bdv95.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistor BDV91/93/95DESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDV91; 60V(Min)- BDV93CEO(SUS)80V(Min)- BDV95Complement to Type BDV92/94/96Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and generalamplifi
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
