BDV95 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TOP3
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BDV95 datasheet
bdv91 bdv93 bdv95.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDV91/93/95 DESCRIPTION Collector Current -I = 10A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDV91; 60V(Min)- BDV93 CEO(SUS) 80V(Min)- BDV95 Complement to Type BDV92/94/96 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and general amplifi
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History: 2SC2085 | 3DG2999
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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