BDW10 Todos los transistores

 

BDW10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 180 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDW10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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BDW10

isc Silicon NPN Power Transistor BDW10DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

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History: FMB200 | D12X043 | 2SC784O

 

 
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