BDW21C Todos los transistores

 

BDW21C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW21C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDW21C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:178K  inchange semiconductor
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BDW21C

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW21DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operationComplement to Type BDW22100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE M

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History: 2SCR514PFRA | 2SD1273 | BDW12 | BCX38C | PUML1_DG | 2N2085 | BSW29

 

 
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