BDW40 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW40
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO220
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BDW40 datasheet
bdw40.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW40 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C = 3.0V(Max.)@ I = 10A C Complement to Type BDW45 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operat
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