BDW40 Todos los transistores

 

BDW40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW40
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDW40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
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BDW40

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW40DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1000(Min) @I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = 2.0V(Max.)@ I = 5.0ACE(sat) C= 3.0V(Max.)@ I = 10ACComplement to Type BDW45Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operat

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