BDW48 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW48
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de BDW48
BDW48 Datasheet (PDF)
bdw48.pdf

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW48DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -120V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1000(Min) @I = -5AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0ACE(sat) C= -3.0V(Max.)@ I = -10ACComplement to Type BDW43Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable
Otros transistores... BDW39 , BDW40 , BDW41 , BDW42 , BDW43 , BDW44 , BDW45 , BDW46 , BC337 , BDW51 , BDW51A , BDW51B , BDW51C , BDW52 , BDW52A , BDW52C , BDW53 .
History: FFB3904 | F115 | KT6117B | 2SB764L | GA53270 | AF429 | NST3904DP6T5G
History: FFB3904 | F115 | KT6117B | 2SB764L | GA53270 | AF429 | NST3904DP6T5G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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