BDW53 Todos los transistores

 

BDW53 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW53

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO220

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BDW53 datasheet

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdw53.pdf pdf_icon

BDW53

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW53 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 750(Min.)@ I = 1.5A, V = 3V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage Complement to Type BDW54 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desi

Otros transistores... BDW48 , BDW51 , BDW51A , BDW51B , BDW51C , BDW52 , BDW52A , BDW52C , TIP42C , BDW53A , BDW53B , BDW53C , BDW53D , BDW54 , BDW54A , BDW54B , BDW54C .

History: DTC706

 

 

 

 

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