BDW57 Todos los transistores

 

BDW57 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW57
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BDW57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdw55 bdw57 bdw59.pdf pdf_icon

BDW57

isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 45V- BDW55CEO(SUS)= 60V- BDW57= 80V- BDW59Complement to Type BDW56/58/60Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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