BDW57 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW57
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO126
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BDW57 Datasheet (PDF)
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bdw55 bdw57 bdw59.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 45V- BDW55CEO(SUS)= 60V- BDW57= 80V- BDW59Complement to Type BDW56/58/60Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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