Биполярный транзистор BDW57 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDW57
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
BDW57 Datasheet (PDF)
..1. Size:213K inchange semiconductor
bdw55 bdw57 bdw59.pdf
bdw55 bdw57 bdw59.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 45V- BDW55CEO(SUS)= 60V- BDW57= 80V- BDW59Complement to Type BDW56/58/60Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: FJA4210 | UMH5NFHA | BDW83B | 2SC2813Q5
History: FJA4210 | UMH5NFHA | BDW83B | 2SC2813Q5
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050