BDW57 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BDW57 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BDW57
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналоги (замена) для BDW57

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdw55 bdw57 bdw59.pdf pdf_icon

BDW57

isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 45V- BDW55CEO(SUS)= 60V- BDW57= 80V- BDW59Complement to Type BDW56/58/60Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in professional equipment such astelecommunication and etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы... BDW53C , BDW53D , BDW54 , BDW54A , BDW54B , BDW54C , BDW55 , BDW56 , BC327 , BDW58 , BDW59 , BDW60 , BDW63 , BDW63A , BDW63B , BDW63C , BDW63D .

History: GSRU15030 | FC1406

 

 
Back to Top

 


 
.