BDW58 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW58

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO126

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BDW58 datasheet

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BDW58

isc Silicon PNP Power Transistors BDW56/58/60 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = -45V- BDW56 CEO(SUS) = -60V- BDW58 = -80V- BDW60 Complement to Type BDW55/57/59 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM R

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