BDW58 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW58

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BDW58

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW58 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdw56 bdw58 bdw60.pdf pdf_icon

BDW58

isc Silicon PNP Power Transistors BDW56/58/60 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = -45V- BDW56 CEO(SUS) = -60V- BDW58 = -80V- BDW60 Complement to Type BDW55/57/59 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие транзисторы: BDW53D, BDW54, BDW54A, BDW54B, BDW54C, BDW55, BDW56, BDW57, A733, BDW59, BDW60, BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW64