BDW59 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW59
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 40 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO126
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BDW59 datasheet
bdw55 bdw57 bdw59.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BDW55/57/59 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage- V = 45V- BDW55 CEO(SUS) = 60V- BDW57 = 80V- BDW59 Complement to Type BDW56/58/60 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in professional equipment such as telecommunication and etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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