BDW63B Todos los transistores

 

BDW63B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW63B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO220

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BDW63B datasheet

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BDW63B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -I = 6A C High DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 2A FE C Complement to Type BDW64/A/B/C/D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:253K  inchange semiconductor
 bdw63 a b c d.pdf pdf_icon

BDW63B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 2A Complement to Type BDW64/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Otros transistores... BDW55 , BDW56 , BDW57 , BDW58 , BDW59 , BDW60 , BDW63 , BDW63A , BD335 , BDW63C , BDW63D , BDW64 , BDW64A , BDW64B , BDW64C , BDW64D , BDW73 .

History: 2SC4617 | BTD5510F3

 

 

 

 

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