BDW63D Todos los transistores

 

BDW63D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW63D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de BDW63D

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BDW63D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw63 bdw63a bdw63b bdw63c bdw63d.pdf pdf_icon

BDW63D

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = 6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 2AFE CComplement to Type BDW64/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:253K  inchange semiconductor
 bdw63 a b c d.pdf pdf_icon

BDW63D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 2A Complement to Type BDW64/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD2457 | CL166

 

 
Back to Top

 


 
.