BDW63D Todos los transistores

 

BDW63D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW63D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDW63D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
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BDW63D

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = 6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 2AFE CComplement to Type BDW64/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:253K  inchange semiconductor
 bdw63 a b c d.pdf pdf_icon

BDW63D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 2A Complement to Type BDW64/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

Otros transistores... BDW57 , BDW58 , BDW59 , BDW60 , BDW63 , BDW63A , BDW63B , BDW63C , S8550 , BDW64 , BDW64A , BDW64B , BDW64C , BDW64D , BDW73 , BDW73A , BDW73B .

 

 
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