BDW64B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDW64B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO220

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BDW64B datasheet

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BDW64B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -I = -6A C High DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = -2A FE C Complement to Type BDW63/A/B/C/D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

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BDW64B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMET

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