BDW73 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW73
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDW73
BDW73 Datasheet (PDF)
bdw73 a b c d.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 3A Complement to Type BDW74/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER
bdw73 bdw73a bdw73b bdw73c bdw73d.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 3AFE CComplement to Type BDW74/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM R
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050