BDW73 Todos los transistores

 

BDW73 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDW73
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDW73 Datasheet (PDF)

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BDW73

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 3A Complement to Type BDW74/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw73 bdw73a bdw73b bdw73c bdw73d.pdf pdf_icon

BDW73

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 3AFE CComplement to Type BDW74/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

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History: BDW73A | FHT5401-ME | FMBS5401 | RN2417 | 2SC3504 | TRF455A | KRC105S

 

 
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