BDX11-7 Todos los transistores

 

BDX11-7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX11-7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX11-7 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:12K  semelab
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BDX11-7

BDX11Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 140V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 9.2. Size:178K  inchange semiconductor
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BDX11-7

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX11DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V (Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplica

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History: 2SD1639 | 2SA1896

 

 
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