BDX13-4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX13-4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
BDX13-4 Datasheet (PDF)
bdx13.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX13DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h =15-60@I = 8AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 4ACE(sat C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SA1307O | D45VH4 | 2SCR544PFRA | MMBTH81LT1 | BC817-40 | PBSS305ND | BLX66
History: 2SA1307O | D45VH4 | 2SCR544PFRA | MMBTH81LT1 | BC817-40 | PBSS305ND | BLX66



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667