2N2927-46 Todos los transistores

 

2N2927-46 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N2927-46
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO46
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N2927-46 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:331K  general electric
2n292 2n293.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:35K  general electric
2n2926.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:407K  st
2n2920ahr.pdf pdf_icon

2N2927-46

2N2920AHRHi-Rel NPN dual matched bipolar transistor 60 V, 0.03 ADatasheet - production dataFeaturesBVCEO 60 VIC (max) 0.03 AHFE at 10 V - 150 mA > 300Operating temperature range -65C to +200C Hi-Rel NPN dual matched bipolar transistor TO-77 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPLFigure 1. Internal schematic

 9.4. Size:11K  semelab
2n2920adcsm.pdf pdf_icon

2N2927-46

2N2920ADCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar NPN Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 60V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.03A C(0

Otros transistores... 2N2926-4 , 2N2926-5 , 2N2926B , 2N2926G , 2N2926O , 2N2926R , 2N2926Y , 2N2927 , BC557 , 2N2927-51 , 2N2928 , 2N2929 , 2N292A , 2N293 , 2N2930 , 2N2931 , 2N2932 .

History: NB122HJ | NMT2222 | FE2917 | PDTC124TM | 2SD219 | BC849C | BCW12

 

 
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