BDX60-7 Todos los transistores

 

BDX60-7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDX60-7

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO3

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BDX60-7 datasheet

 9.1. Size:201K  inchange semiconductor
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BDX60-7

isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... BDX54S , BDX55 , BDX56 , BDX57 , BDX60 , BDX60-4 , BDX60-5 , BDX60-6 , TIP41 , BDX61 , BDX61-4 , BDX61-5 , BDX61-6 , BDX61-7 , BDX62 , BDX62A , BDX62B .

History: BCP68T1

 

 

 

 

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