BDX60-7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX60-7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO3
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BDX60-7 datasheet
bdx60.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM
Otros transistores... BDX54S , BDX55 , BDX56 , BDX57 , BDX60 , BDX60-4 , BDX60-5 , BDX60-6 , TIP41 , BDX61 , BDX61-4 , BDX61-5 , BDX61-6 , BDX61-7 , BDX62 , BDX62A , BDX62B .
History: BCP68T1
History: BCP68T1
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Liste
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