BDX61 Todos los transistores

 

BDX61 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX61
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX61 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
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BDX61

isc Silicon NPN Power Transistor BDX61DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio, disk head positionersand other linear applications.ABSOLU

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History: PTB20005 | BDX60-6

 

 
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