BDX61 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX61
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BDX61 datasheet
bdx61.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX61 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. ABSOLU
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History: 2SB1405
History: 2SB1405
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Liste
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