BDX61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX61  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX61 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 bdx61.pdf pdf_icon

BDX61

isc Silicon NPN Power Transistor BDX61 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. ABSOLU

Другие транзисторы: BDX55, BDX56, BDX57, BDX60, BDX60-4, BDX60-5, BDX60-6, BDX60-7, C5198, BDX61-4, BDX61-5, BDX61-6, BDX61-7, BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C